东芝新发布4个PFC电路方向的第二代SiC二极管产品
来源:https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08393/
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作者:root
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发布时间: 1551天前
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东芝器件&储存扩充了他们第二代SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管的商品种类。
东芝器件&储存扩充了他们第二代SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管的商品种类。
同公司扩充了自己公司的肖特基势垒二极管的商品种类。本次追加了4种产品，为正向电流额定值12A的「TRS12N65FB」，16A的「TRS16N65FB」、20A的「TRS20N65FB」、24A的「TRS24N65FB」。重复负值电压（VRRM）为+650V，封装为TO-247。据他们公司说“如果适合开关电源（AC-DC转换器）的功率因数改良，转换效率会上升，从此可以实现小型化。”具体可以应用到通信基站，服务器，激光加工机，电动汽车供电设备，有机EL电视，音频放大器，打印机，复印机等地方。
此公司的第二代肖特基势垒二极管采用了叫做「改良型JBS（Junction Barrier controlled Schottky）」的构造。与**代产品相比，不仅可以提高非重复负值正向电流（IFSM），还可以减少正向电压下降（VF）。从而达到高浪涌电流承受量和低电力损失。
发售的四个产品的特性如下。TRS12N65FB的非重复峰值正向电流为104A（两钻头的情况下）。反向电流（IR）为0.3μA（标准值）。正向电压下降为＋1.45V（标准值）。总接合电荷量（Qcj）为15nC（标准值）。TRS16N65FB的非重复峰值正向电流为130A（两钻头的情况下）。反向电流为0.4μA（标准值）。正向电压下降为＋1.45V（标准值）。总接合电荷量为19.4nC（标准值）。TRS20N65FB的非重复峰值正向电流为158A（两钻头的情况下）。反向电流为0.5μA（标准值）。正向电压下降为＋1.45V（标准值）。总接合电荷量为24nC（标准值）。TRS24N65FB的非重复峰值正向电流为184A（两钻头的情况下）。反向电流为0.6μA（标准值）。正向电压下降为＋1.45V（标准值）。总接合电荷量为30nC（标准值）。
已经开始销售。价格未明。并且东芝今后还会扩大第二代SiC肖特基势垒二极管的商品种类。
翻译：孔洋
