行业*大的GaN on SiC输出功率，Qorvo的150wRF功率放大器。
来源:https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08442/
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作者:root
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发布时间: 1487天前
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行业*大的GaN on SiC输出功率，Qorvo的150wRF功率放大器。
美国Qorvo研发出了*大功率为150W的大RF功率放大器IC（QPA3070）。
已经开始向部分的客户发货。使用的是在SiC（碳化硅）衬底上生长GaN（氮化镓）【GaN on SiC】器件技术。对应的频率宽带为2.9G~3.5GHz。据此公司说“在此频率宽带的RF功率放大器IC达到输出功率150W的是行业**个。与其他竞争公司相比，输出功率增加了50%。”对应S带（2G~4GHz）面向Phased Array Radar和防御用电子机器（电子战）。
饱和输出功率（Psat）为52dBm。功率附加效率（PAE）是十分高的58%。电力增益为28dB。包装是表面实装，外尺寸为7mm×7mm×0.85mm。DC（直流）测试和RF测试对全产品在晶片的状态下进行，来保证电的规格。价格还未公布。
原文出自日经xTECH
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08442/
翻译：孔洋
Qorvo发布原文地址：https://www.qorvo.com/newsroom/news/2020/qorvo-advances-defense-phased-array-radar-performance-and-capabilities-with-150w-gan-power-amplifier
