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罗姆计划在2025年达到全球**份额-----30%，领导SiC市场。
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作者:root
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发布时间: 1480天前
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在25年达到世界**份额，领导SiC市场“后发·罗姆”
罗姆 功率器件事业统筹 伊野和英先生：
在25年达到**份额，领导SiC市场“后发·罗姆”（1/2）
2020年08月26日 09点30分 公开
罗姆作为功率半导体市场的后入场者，针对预计会正式扩大的SiC（碳化硅）功率器件市场，在2010年世界**个SiC-MOSFET和日本**个SiC二极管，2012年世界**个开始量产全SiC功率模块等做出先进的研究开发。随着SiC市场的扩大，罗姆的存在感也随之增强，那么罗姆的战略和今后的展望是什么呢？此次我们采访了罗姆公司董事长，首席执行官CSO（*高战略责任者）兼功率器件实业统筹的伊野和英先生。
车载变频器领域的正式化将SiC市场极大的扩大
--首先，请回顾一下*近的市场情况。
伊野先生 2019年度的市场情况如您所知，在因中美贸易摩擦等影响导致略微低迷的基础上，2020年又发生了新冠病毒（COVID-19）问题。罗姆在中国有空调、PC相关、还有服务器电源相关等比原计划有所上涨，但是占整体销售额比率很大的车载相关的低迷带来的影响非常大，我们非常关注它之后如何恢复。并且2019年中国改变了电动汽车（EV）的鼓励政策，EV中的高端型的下落很大，另一方面低端型相对受到的影响较小，销售倾向发生变化，对于这些影响我也有些担心。
--请谈一下SiC市场的前景和着力市场
伊野先生 SiC市场的目标是在2025年之前得到世界30%的份额基础上，着力车载和产机两个市场全方位发展。前景方面，因为前面所说的影响，会将2018年4月发表的预测后移2年左右，SiC市场的规模在2025年应该会达到1500亿日元。
但是，今后特别是在车载变频器的领域一定会有更大的发展。此前SiC主要是在太阳能发电，车载充电器等领域使用，变频器领域加入后，应该会成为SiC市场极大扩大的主要因素。
从Si变为SiC，变频器的效率会提升好几点，保证相同行驶距离的前提下，可以减少占EV整体大部分成本的电池的容量。结果来看，变频器的成本略有上升，整体来讲可以实现减少成本。容量越大的车效果越明显，今后SiC的成本下降之后，适用范围应该会更大。与Si的IGB功能相同，实现相同功率SiC成本确实不会性价比更高，但是加上减少电池容量的技术可以降低成本。
虽然SiC市场2018年预测向后推移，但是车载变频器领域的预测与当时没有变化，依然是非常有力的。确实SiC领域*近是负数，但是EV来讲方面，对于2024和2025年的估计与当初没有变化，并且我们认为那时已经没有COVID-19的影响正在推进计划。客户方面也没有对2024，2025年的开发项目推后的倾向。
*近也与中国的新能源汽车相关驱动领域的高科技公司Leadrive Technology在开设SiC搭载的车载变频器开发用的共同研究所，积极的与德国大陆集团Vitesco Technologies缔结了开发伙伴关系。
--应对市场正式化的SiC器件的产品开展方针以及研究开发状况
伊野先生 为了取得份额，一定要从器件性能上拉开差距。罗姆虽然是后加入市场，但是罗姆在SiC研究开发上是领先于其他公司的，2010年世界**个开始量产SiC-MOSFET，车载方面的SiC-SBD也在2012年开始产品推广，2015年**采用沟槽结构的SiC-MOSFET量产化等，一直在持续向世界率先提供有新技术的高性能器件。并且包含芯片制造的垂直统合型生产体制也在蓬勃发展，形成了现在公司的位置。不同公司的调查数据可能不同，大致上我们公司现在的份额为20~15%。
车载市场，特别是在动力系统中的使用还需要时间，为了在2024，2025年得到市场份额就必须在2020年中推出可以销售的商品。2020年6月发表的“1200V第四代SiC-MOSFET”就是为此而制作的产品，已经有30家以上的公司对xEV相关问价。第四代SiC-MOSFET比上一代降低了40%的on阻力，成本上虽然不是以相同的比例幅度下降，但是也有很大的下降潜力。降低on阻力，不停的制造出市场上性能*高的产品对于SiC市场的扩大来说意义重大。
虽然我们已经在进行第五代的开发，但是并没有达到像Si的IGBT那样接近理论值界限的阶段，还有很多改善的余地。我们认为次世代SiC-MOSFET必须要可以比第四代减少40%的on阻力。从步骤来看，第五代会在2023~2025年左右推出，新一代的推出会将整个市场带动起来。随着那时市场的扩大，2025年以后也会将世界份额的30%作为目标，逐渐提升销售额。
罗姆SiC晶片也提供给竞合，推动市场本身的扩大
--到2025年为止投入600亿日元，将生产能力提高17倍的计划，现在进展如何？
伊野先生 为了可以在随着研究开发，市场急速上涨的情况下做到充分满足供应，我们在需求之前先做出设备投资。我们没有受到*近市场情况影响，正在进行这两年的投资，会在2020年12月福冈县筑后工厂新楼竣工。2021年会在这里投入装置，照计划进行建设。
600亿日元详细内容包括宫崎工厂新建的6英寸SiC晶片生产线以及SiCrystal的增产的金额，计划中2021年的部分（400亿日元）也在按照计划执行。之后的投资应该会根据市场状况来做出判断。现在通过此投资已经使SiC的生产能力达到了2017年的三倍。并且会在筑后工厂的新楼里放置8英寸的制造装置。当初打算用6英寸开始量产，但是也会根据市场情况为随时可以转换8英寸量产做准备。
关于SiC晶片，我们旗下有SiCrystal来保证我们的供给体制没有问题。2020年1月我们与ST微电子签订了数年的SiC（碳化硅）晶片供应合同。我们原本就将针对SiC晶片与其说是竞争，不如说是包含广泛的供应器件的竞合，通过增加生产量来扩大SiC市场本身，以此大大地降低成本放在**位来考虑。设定SiC市场30%份额的目标本就是考虑到没有那么大的数量的话就无法在成本的竞争中坚持住。
Si器件是（通过SiC构筑的海外销路来扩大）
--关于Si功率半导体，现在罗姆的位置与产品发展的方针是？
伊野先生 罗姆的功率器件的销售额中SiC的占有比率还很低，销售额的中流砥柱还是Si的功率器件。罗姆本身拥有在小信号晶体管/二极管的世界**份额，功率器件方面当初在低电力、低电压领域成本上也有竞争力。继而扩充高电压、大电力领域，我们已经做好了作为后发赶上其他的竞合公司的姿态。
据说仅仅在Si的MOSFET上就有8000亿~9000亿日元的市场规模，能在其中拥有一席之地很重要。就像第六代Si MOSFET（100V、40V、60V）等更新那样，要做出与其他竞合公司同样或者有+α性能的产品来扩大市场份额。SiC器件当初在全球销售，海外的销售比例非常高，Si和罗姆现存的业务一样，在日本国内的比例很高，现在提高海外比例成为了一个主题。并且现在车载的比例很高，也考虑扩大产机领域。
长期以来我们使用通过SiC器件构筑的海外销路来扩大了IGBT，今后我们也会在这个渠道中加入Si MOSFET。我认为罗姆的海外比例扩大的关键是如何通过罗姆有优势的LSI（电源IC和马达驱动IC）和功率器件的同1封装化来拉开车距。我们一直供应将600V／250V耐压的MOSFET和控制IC、驱动IC同一封装IPM和内装IGBT的IPM等（SiC也有1700V耐压的SiC-MOSFET和控制IC、驱动IC的同1封装化等产品），我们认为今后也必须继续扩充。
另外IGBT车载的话PCT加热器和电动压缩机等各种各样的新的市场出现，这些不需要SiC的领域。正因为我们是后发，更容易加入变化大的市场。
--*后，请说一下GaN器件的开发状况
伊野先生 GaN（氮化镓）在耐压100~600V附近的领域很有前景。正在开发的是GaN on Si器件，因为是HEMT（高甸子移动度晶体管）构造，很难高电压、大电力化。用途上600V可以用在PC和手机的AC-DC的适配器上，或者在车载充电器领域。耐压100V的话可以期待在48V的服务器或者车载电源领域的表现。罗姆虽然现在还没有公布自己的商品化目标，没有像“三年后将其商品化”这样的选项。如果是那么远的事情的话，罗姆可能就不做GaN业务了。
GaN只有体现高频率驱动的时候才会有优势，所以器件的驱动程序就十分重要。罗姆正在研发驱动GaN的驱动程序，我们打算通过配对使用LSI的驱动程序来实现与单独开发GaN器件竞合的差别。
GaN虽然在功率器件整体市场与SiC比范围非常局限，但是很接近民生，所以会有一定大小的市场。虽然比SiC要小，但是金额规模也可能会达到一定的程度。而且与SiC不同的是，也可以做成本方面与Si很接近的领域，所以还是很有潜质的器件。
翻译：孔洋
在25年达到**份额，领导SiC市场“后发·罗姆”（1/2）
2020年08月26日 09点30分 公开
罗姆作为功率半导体市场的后入场者，针对预计会正式扩大的SiC（碳化硅）功率器件市场，在2010年世界**个SiC-MOSFET和日本**个SiC二极管，2012年世界**个开始量产全SiC功率模块等做出先进的研究开发。随着SiC市场的扩大，罗姆的存在感也随之增强，那么罗姆的战略和今后的展望是什么呢？此次我们采访了罗姆公司董事长，首席执行官CSO（*高战略责任者）兼功率器件实业统筹的伊野和英先生。
车载变频器领域的正式化将SiC市场极大的扩大
--首先，请回顾一下*近的市场情况。
伊野先生 2019年度的市场情况如您所知，在因中美贸易摩擦等影响导致略微低迷的基础上，2020年又发生了新冠病毒（COVID-19）问题。罗姆在中国有空调、PC相关、还有服务器电源相关等比原计划有所上涨，但是占整体销售额比率很大的车载相关的低迷带来的影响非常大，我们非常关注它之后如何恢复。并且2019年中国改变了电动汽车（EV）的鼓励政策，EV中的高端型的下落很大，另一方面低端型相对受到的影响较小，销售倾向发生变化，对于这些影响我也有些担心。
--请谈一下SiC市场的前景和着力市场
伊野先生 SiC市场的目标是在2025年之前得到世界30%的份额基础上，着力车载和产机两个市场全方位发展。前景方面，因为前面所说的影响，会将2018年4月发表的预测后移2年左右，SiC市场的规模在2025年应该会达到1500亿日元。
但是，今后特别是在车载变频器的领域一定会有更大的发展。此前SiC主要是在太阳能发电，车载充电器等领域使用，变频器领域加入后，应该会成为SiC市场极大扩大的主要因素。
从Si变为SiC，变频器的效率会提升好几点，保证相同行驶距离的前提下，可以减少占EV整体大部分成本的电池的容量。结果来看，变频器的成本略有上升，整体来讲可以实现减少成本。容量越大的车效果越明显，今后SiC的成本下降之后，适用范围应该会更大。与Si的IGB功能相同，实现相同功率SiC成本确实不会性价比更高，但是加上减少电池容量的技术可以降低成本。
虽然SiC市场2018年预测向后推移，但是车载变频器领域的预测与当时没有变化，依然是非常有力的。确实SiC领域*近是负数，但是EV来讲方面，对于2024和2025年的估计与当初没有变化，并且我们认为那时已经没有COVID-19的影响正在推进计划。客户方面也没有对2024，2025年的开发项目推后的倾向。
*近也与中国的新能源汽车相关驱动领域的高科技公司Leadrive Technology在开设SiC搭载的车载变频器开发用的共同研究所，积极的与德国大陆集团Vitesco Technologies缔结了开发伙伴关系。
--应对市场正式化的SiC器件的产品开展方针以及研究开发状况
伊野先生 为了取得份额，一定要从器件性能上拉开差距。罗姆虽然是后加入市场，但是罗姆在SiC研究开发上是领先于其他公司的，2010年世界**个开始量产SiC-MOSFET，车载方面的SiC-SBD也在2012年开始产品推广，2015年**采用沟槽结构的SiC-MOSFET量产化等，一直在持续向世界率先提供有新技术的高性能器件。并且包含芯片制造的垂直统合型生产体制也在蓬勃发展，形成了现在公司的位置。不同公司的调查数据可能不同，大致上我们公司现在的份额为20~15%。
车载市场，特别是在动力系统中的使用还需要时间，为了在2024，2025年得到市场份额就必须在2020年中推出可以销售的商品。2020年6月发表的“1200V第四代SiC-MOSFET”就是为此而制作的产品，已经有30家以上的公司对xEV相关问价。第四代SiC-MOSFET比上一代降低了40%的on阻力，成本上虽然不是以相同的比例幅度下降，但是也有很大的下降潜力。降低on阻力，不停的制造出市场上性能*高的产品对于SiC市场的扩大来说意义重大。
虽然我们已经在进行第五代的开发，但是并没有达到像Si的IGBT那样接近理论值界限的阶段，还有很多改善的余地。我们认为次世代SiC-MOSFET必须要可以比第四代减少40%的on阻力。从步骤来看，第五代会在2023~2025年左右推出，新一代的推出会将整个市场带动起来。随着那时市场的扩大，2025年以后也会将世界份额的30%作为目标，逐渐提升销售额。
罗姆SiC晶片也提供给竞合，推动市场本身的扩大
--到2025年为止投入600亿日元，将生产能力提高17倍的计划，现在进展如何？
伊野先生 为了可以在随着研究开发，市场急速上涨的情况下做到充分满足供应，我们在需求之前先做出设备投资。我们没有受到*近市场情况影响，正在进行这两年的投资，会在2020年12月福冈县筑后工厂新楼竣工。2021年会在这里投入装置，照计划进行建设。
600亿日元详细内容包括宫崎工厂新建的6英寸SiC晶片生产线以及SiCrystal的增产的金额，计划中2021年的部分（400亿日元）也在按照计划执行。之后的投资应该会根据市场状况来做出判断。现在通过此投资已经使SiC的生产能力达到了2017年的三倍。并且会在筑后工厂的新楼里放置8英寸的制造装置。当初打算用6英寸开始量产，但是也会根据市场情况为随时可以转换8英寸量产做准备。
关于SiC晶片，我们旗下有SiCrystal来保证我们的供给体制没有问题。2020年1月我们与ST微电子签订了数年的SiC（碳化硅）晶片供应合同。我们原本就将针对SiC晶片与其说是竞争，不如说是包含广泛的供应器件的竞合，通过增加生产量来扩大SiC市场本身，以此大大地降低成本放在**位来考虑。设定SiC市场30%份额的目标本就是考虑到没有那么大的数量的话就无法在成本的竞争中坚持住。
Si器件是（通过SiC构筑的海外销路来扩大）
--关于Si功率半导体，现在罗姆的位置与产品发展的方针是？
伊野先生 罗姆的功率器件的销售额中SiC的占有比率还很低，销售额的中流砥柱还是Si的功率器件。罗姆本身拥有在小信号晶体管/二极管的世界**份额，功率器件方面当初在低电力、低电压领域成本上也有竞争力。继而扩充高电压、大电力领域，我们已经做好了作为后发赶上其他的竞合公司的姿态。
据说仅仅在Si的MOSFET上就有8000亿~9000亿日元的市场规模，能在其中拥有一席之地很重要。就像第六代Si MOSFET（100V、40V、60V）等更新那样，要做出与其他竞合公司同样或者有+α性能的产品来扩大市场份额。SiC器件当初在全球销售，海外的销售比例非常高，Si和罗姆现存的业务一样，在日本国内的比例很高，现在提高海外比例成为了一个主题。并且现在车载的比例很高，也考虑扩大产机领域。
长期以来我们使用通过SiC器件构筑的海外销路来扩大了IGBT，今后我们也会在这个渠道中加入Si MOSFET。我认为罗姆的海外比例扩大的关键是如何通过罗姆有优势的LSI（电源IC和马达驱动IC）和功率器件的同1封装化来拉开车距。我们一直供应将600V／250V耐压的MOSFET和控制IC、驱动IC同一封装IPM和内装IGBT的IPM等（SiC也有1700V耐压的SiC-MOSFET和控制IC、驱动IC的同1封装化等产品），我们认为今后也必须继续扩充。
另外IGBT车载的话PCT加热器和电动压缩机等各种各样的新的市场出现，这些不需要SiC的领域。正因为我们是后发，更容易加入变化大的市场。
--*后，请说一下GaN器件的开发状况
伊野先生 GaN（氮化镓）在耐压100~600V附近的领域很有前景。正在开发的是GaN on Si器件，因为是HEMT（高甸子移动度晶体管）构造，很难高电压、大电力化。用途上600V可以用在PC和手机的AC-DC的适配器上，或者在车载充电器领域。耐压100V的话可以期待在48V的服务器或者车载电源领域的表现。罗姆虽然现在还没有公布自己的商品化目标，没有像“三年后将其商品化”这样的选项。如果是那么远的事情的话，罗姆可能就不做GaN业务了。
GaN只有体现高频率驱动的时候才会有优势，所以器件的驱动程序就十分重要。罗姆正在研发驱动GaN的驱动程序，我们打算通过配对使用LSI的驱动程序来实现与单独开发GaN器件竞合的差别。
GaN虽然在功率器件整体市场与SiC比范围非常局限，但是很接近民生，所以会有一定大小的市场。虽然比SiC要小，但是金额规模也可能会达到一定的程度。而且与SiC不同的是，也可以做成本方面与Si很接近的领域，所以还是很有潜质的器件。
翻译：孔洋
